芯思杰400Gbps PIN PD支撑全球AI算力光互联向3.2T光收发模块迭代

深圳，2026 年 9 月 6 日（今日消息） —— 第 27 届中国国际光电博览会（CIOE） 将于下周（9 月 9 - 11 日） 在深圳国际会展中心拉开帷幕。全球领先的光电探测器芯片企业芯思杰（PHOGRAIN）将亮相 11 号馆 11B33 展位，现场将正式发布400Gbps背照式PIN型光电探测器（PIN PD）芯片。在AI算力驱动光收发模块加速向1.6T、3.2T速率迭代的行业关口，这款兼具性能突破与工艺创新的高端芯片，不仅为下一代高速光收发模块提供了核心接收端支撑，也进一步拓展了芯思杰参与全球前沿光芯片布局的技术版图。把握全球算力基础设施持续升级的产业机遇，芯思杰正加速融入全球光互联产业链。 此前在2026年美国光通讯展览会（OFC）上，芯思杰已向行业首次展示400Gbps PIN PD芯片；本次CIOE展会，该产品以完整样品形态正式面向全球客户发布。从技术展示走向产品发布，从前沿研发走向客户验证与应用导入，芯思杰正依托持续的自主研发、IDM全链能力与全球化布局，与产业链上下游伙伴共同推进400Gbps PIN PD的技术迭代、产品验证及规模化应用，持续深化在下一代光互联产业生态中的协同与连接。 芯思杰CTO杨彦伟：“400Gbps背照式PIN PD芯片的发布，是我们在前沿高速光芯片赛道的重要里程碑，我们始终以全球市场需求和下一代光互联技术演进为导向，坚持长期技术投入。 未来，我们期待与全球光器件厂商、设备商、运营商及产业伙伴深化协同，共同打磨产品、加快迭代，推动下一代高速光互联技术走向规模化应用， 为全球算力升级和光通信产业发展贡献力量。” 面向下一代全球光互联，性能工艺双重突破破解高速光器件量产瓶颈 光电探测器（PD）是光互联网络的核心器件，承担光信号接收与转换的功能，直接决定光传输的带宽上限、信号质量与整体功耗。随着AI大模型规模扩张，数据中心内部流量爆发式增长，光收发模块正快速从800G向1.6T、3.2T升级，高端光电探测器的性能与供应能力，已成为制约产业迭代速度的关键环节。 芯思杰本次发布的400Gbps背照式PIN PD芯片，是行业首批落地的同速率产品之一 。产品一方面通过电荷补偿技术，可在高电流密度工况下实现均匀电场分布，从而突破传统 PIN PD 芯片在带宽、光电转换效率以及饱和电流方面的性能瓶颈，核心指标对齐全球第一梯队，可充分适配下一代高速信号传输；另一方面采用背部透镜一体化集成设计，将微透镜直接集成在芯片背部，实现“芯片出厂即完成核心光学整合”，能够帮助下游光收发模块厂商大幅降低透镜对准工艺复杂度、显著提高生产效率与良率、降低批量制造成本。 IDM全链自研，构建完整工艺闭环支撑全球稳定交付 这款400Gbps高端光芯片的顺利落地，背后是芯思杰多年深耕的IDM（垂直整合制造）全链条能力。不同于Fabless轻资产模式，芯思